IXTT2N300P3HV, MOSFET, N-CH, 3KV, 2A, TO-268HV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 8-10 недель
13 450 руб.
от 5 шт. —
12 230 руб.
от 10 шт. —
11 810 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 450 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 21Ом |
Power Dissipation | 520Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 3кВ |
Непрерывный Ток Стока | 2А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-268HV |
Вес, г | 4.86 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары