IXTT90P10P, MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-268

Фото 1/2 IXTT90P10P, MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
60 шт., срок 8-10 недель
3 500 руб.
от 5 шт.3 280 руб.
от 10 шт.3 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 500 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017377287
Артикул: IXTT90P10P
Бренд: Littelfuse

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.025Ом
Power Dissipation 462Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции PolarP Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 90А
Полярность Транзистора P Channel
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 462Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.025Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-268(D3PAK)
Automotive Unknown
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Maximum Continuous Drain Current (A) 90
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 25@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 462000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP Unknown
Product Category Power MOSFET
Supplier Package TO-268
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 32
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 120
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 120@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 5800@25V
Typical Rise Time (ns) 77
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 54
Typical Turn-On Delay Time (ns) 25
Continuous Drain Current 90(A)
Drain-Source On-Volt 100(V)
Gate-Source Voltage (Max) ±20(V)
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type TO-268
Polarity P
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Вес, г 5.93

Техническая документация

Datasheet
pdf, 144 КБ
Datasheet IXTT90P10P
pdf, 134 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.