IXTY01N100, MOSFET, N-CH, 1KV, 0.1A, TO-252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 шт., срок 8-10 недель
770 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 25 шт. —
670 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 080 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 60Ом |
Power Dissipation | 25Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1кВ |
Непрерывный Ток Стока | 100мА |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Unlimited |
Вес, г | 0.53 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары