IXYH40N120C3D1, IGBT 1200V 40A XPT GenX3

PartNumber: IXYH40N120C3D1
Ном. номер: 8054195813
Производитель: Ixys
IXYH40N120C3D1, IGBT 1200V 40A XPT GenX3
Доступно на заказ более 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 010 × = 1 010
от 5 шт. — 800 руб.
от 10 шт. — 683 руб.

Описание

IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
IGBT 1200V 40A XPT GenX3 w/Diode TO247AD

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
64 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
480 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Скорость переключения
50kHz
Ширина
5.3mm
Высота
21.46mm
Длина
16.26mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IXYH40N120C3D1, 1200V XPT IGBT GenX3 w/ ...