IXYN100N120C3H1, IGBT 1200V 134A XPT GenX3

PartNumber: IXYN100N120C3H1
Ном. номер: 8069303368
Производитель: Ixys
IXYN100N120C3H1, IGBT 1200V 134A XPT GenX3
Доступно на заказ. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
3 560 × = 3 560
от 2 шт. — 3 210 руб.
от 5 шт. — 2 962 руб.


IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
IGBT 1200V 134A XPT GenX3 Diode SOT227B

Технические параметры

Максимальное рассеяние мощности
690 Вт
Максимальный непрерывный ток коллектора
134 A
Число контактов
Скорость переключения
20 → 50kHz
Двойной эмиттер
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Тип канала
Тип монтажа
Surface Mount
38.23 x 25.07 x 9.6
Тип корпуса
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальная рабочая температура
150 °C

Дополнительная информация

IXYN100N120C3H1, 1200V XPT IGBT GenX3TM w/ ...