IXYN100N120C3H1, IGBT 1200V 134A XPT GenX3

PartNumber: IXYN100N120C3H1
Ном. номер: 8069303368
Производитель: Ixys
IXYN100N120C3H1, IGBT 1200V 134A XPT GenX3
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
3 230 × = 3 230
от 2 шт. — 2 920 руб.

Описание

IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
IGBT 1200V 134A XPT GenX3 Diode SOT227B

Технические параметры

Максимальное рассеяние мощности
690 Вт
Ширина
25.07
Максимальный непрерывный ток коллектора
134 A
Число контактов
4
Скорость переключения
20 → 50kHz
Конфигурация
Двойной эмиттер
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Размеры
38.23 x 25.07 x 9.6
Длина
38.23
Тип корпуса
SOT-227B
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальная рабочая температура
150 °C
Высота
9.6mm

Дополнительная информация

IXYN100N120C3H1, 1200V XPT IGBT GenX3TM w/ ...