J109, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 40 мА, 6 В, TO-92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
51 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 1000 шт. —
37 руб.
от 5000 шт. —
31 руб.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 5 100 руб.
Описание
Описание ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 40 мА, 6 В, TO-92
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Drain Gate On-Capacitance | 85pF |
Idss Drain-Source Cut-off Current | min.40mA |
Maximum Drain Gate Voltage | 25V |
Maximum Drain Source Resistance | 12 Ω |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Source Gate On-Capacitance | 85pF |
Transistor Configuration | Single |
Width | 3.86mm |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet J109
pdf, 129 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов