L6384ED, ПЛИС/драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 11.5В-16.6В, 650мА, задержка 200нс, SOIC-8

PartNumber: L6384ED
Ном. номер: 8091465570
Производитель: ST Microelectronics
L6384ED, ПЛИС/драйвер МОП-транзистора ...
Доступно на заказ 704 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
230 × = 230
от 10 шт. — 167 руб.
от 100 шт. — 129 руб.

Описание

The L6384ED is a High-voltage Gate Driver, manufactured with the BCD™ offline technology and able to drive a half-bridge of power MOS or IGBT devices. This device has one input pin, one enable pin (DT/SD) and two output pins and guarantees matched delays between low-side and high-side sections, thus simplifying device's high frequency operation. The logic inputs are CMOS/TTL compatible to ease the interfacing with controlling devices. The bootstrap diode is integrated inside the device, allowing a more compact and reliable solution.

• 600V High voltage rail
• dV/dt Immunity ±50V/nsec in full temperature range
• 400mA Source current
• 650mA Sink current
• Switching times 50/30ns rise/fall with 1nF load
• Shutdown input
• Dead time setting
• Under voltage lockout
• Integrated bootstrap diode
• Clamping on VCC

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы и Контроллеры
Код: 2311299

Технические параметры

Конфигурация Привода
Полумост
Пиковый Выходной Ток
650мА
Минимальное Напряжение Питания
11.5В
Максимальное Напряжение Питания
16.6В
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Задержка по Входу
200нс
Задержка Выхода
200нс
Минимальная Рабочая Температура
-45°C
Максимальная Рабочая Температура
125°C
Упаковка
Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet L6384ED