LND150K1-G, МОП-транзистор, N Канал, 13 мА, 500 В, 850 Ом, 0 В

PartNumber: LND150K1-G
Ном. номер: 8085952138
Производитель: Microchip
LND150K1-G, МОП-транзистор, N Канал, 13 мА ...
Доступно на заказ 2516 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
38 × = 38
от 10 шт. — 35 руб.
от 25 шт. — 29 руб.

Описание

The LND150K1-G is a N-channel depletion-mode DMOS FET utilizing Supertex's lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. It is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.

• Free from secondary breakdown
• Low power drive requirement
• Ease of paralleling
• Excellent thermal stability
• Integral source-drain diode
• High input impedance and low CISS

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2450520

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
13мА
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
850Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
Рассеиваемая Мощность
360мВт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236AB
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet LND150K1-G