MBR1H100SFT3G, Diode Schottky 100V 1A SO

PartNumber: MBR1H100SFT3G
Ном. номер: 8074950153
Производитель: ON Semiconductor
MBR1H100SFT3G, Diode Schottky 100V 1A SO
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
77 × = 770
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 55 руб.
от 50 шт. — 47.40 руб.

Описание

Schottky Barrier Diodes, 1A to 2A, ON Semiconductor

Diodes and Rectifiers, ON Semiconductor

Технические параметры

размеры
2.9 x 1.8 x 0.9mm
Diode Type
Schottky
высота
0.9mm
длина
2.9mm
Maximum Continuous Forward Current
1A
максимальная рабочая температура
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOD-123FL
Peak Forward Voltage
0.76V
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
50A
Peak Reverse Current
40µA
Peak Reverse Repetitive Voltage
100V
Pin Count
2
ширина
1.8mm
Rectifier Type
Switching
Diode Configuration
Single

Дополнительная информация

MBR1H100SFT3G, NRVB1H100SFT3G, Surface Mount Schottky Power Rectifier SOD−123FL Package Data Sheet MBR1H100SFT3G