MBRB10100-E3/8W, Diode Schottky 100V 10A 3

PartNumber: MBRB10100-E3/8W
Ном. номер: 8073167028
Производитель: Vishay
MBRB10100-E3/8W, Diode Schottky 100V 10A 3
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
130 × = 650
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 100 шт. — 65 руб.
от 200 шт. — 57.80 руб.

Описание

TMBS® Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Выпрямительные диоды и диоды Шоттки /
Vishay MBRB10100-E3/8W, SMT Schottky Diode, 100V 10A, 2+Tab-Pin TO-263AB

Технические параметры

Размеры
10.45 x 9.14 x 4.83мм
Тип диода
Schottky
Максимальный непрерывный прямой ток
10A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-263AB
Пиковое прямое напряжение
800mV
Пиковый обратный ток
6mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Число контактов
3
Ширина
9.14mm
Diode Configuration
Single
Высота
4.83mm
Длина
10.45mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

MBR(F, B)1090 & MBR(F, B)10100 ...