MBT3904DW1T1G, Транзистор,2хNPN, 40В, 200мА, SC88

Артикул: MBT3904DW1T1G
Ном. номер: 9000175014
Производитель: ON Semiconductor
MBT3904DW1T1G, Транзистор,2хNPN, 40В, 200мА, SC88
Доступно на заказ 7810 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
14 × = 140
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 90 шт. — 5.50 руб.
от 250 шт. — 5.10 руб.

Описание

The MBT3904DW1T1G is a dual NPN Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.

• 100 to 300 hFE
• <=0.4v low=""></=0.4v>
• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count
• Halogen-free
• -55 to 150°C Junction temperature range

Код: 1653615

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
40В
Рассеиваемая Мощность
150мВт
DC Ток Коллектора
200мА
DC Усиление Тока hFE
300hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-363
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Техническая документация

mbt3904dw Datasheet
pdf, 107 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet MBT3904DW1T1G