MC1413BDR2G, Сборка 7NPN транзисторов Дарлингтона 50В 0.5A 16SO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
76 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 72 шт. —
61 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 456 руб.
Посмотреть аналоги5
Описание
Микросхемы / Драйверы и ключи / Ключи, наборы транзисторов
Сборка 7NPN транзисторов Дарлингтона 50В 0.5A 16SO
Технические параметры
Корпус | SO-16 | |
Automotive | No | |
Configuration | Array 7 | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant | |
Lead Shape | Gull-wing | |
Maximum Base Current (A) | 0.025 | |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA | |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 | |
Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 0.5 | |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 30 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 85 | |
Minimum DC Current Gain | 1000@350mA@2V | |
Minimum DC Current Gain Range | 500 to 3600 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 | |
Mounting | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 7 | |
Operating Junction Temperature (°C) | 150 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 16 | |
Pin Count | 16 | |
PPAP | No | |
Standard Package Name | SO | |
Supplier Package | SOIC | |
Type | NPN | |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 500 mA | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Temperature | +85 °C | |
Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Package Type | SOIC | |
Transistor Configuration | Common Emitter | |
Transistor Type | NPN | |
Width | 4mm | |
Вес, г | 0.638 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов