MC1413BDR2G, Сборка 7NPN транзисторов Дарлингтона 50В 0.5A 16SO

Фото 1/4 MC1413BDR2G, Сборка 7NPN транзисторов Дарлингтона 50В 0.5A 16SO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
76 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 72 шт.61 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 456 руб.
Посмотреть аналоги5
Номенклатурный номер: 8189693324
Артикул: MC1413BDR2G

Описание

Микросхемы / Драйверы и ключи / Ключи, наборы транзисторов
Сборка 7NPN транзисторов Дарлингтона 50В 0.5A 16SO

Технические параметры

Корпус SO-16
Automotive No
Configuration Array 7
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Base Current (A) 0.025
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V) 30
Maximum Operating Temperature (°C) 85
Minimum DC Current Gain 1000@350mA@2V
Minimum DC Current Gain Range 500 to 3600
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 7
Operating Junction Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 16
Pin Count 16
PPAP No
Standard Package Name SO
Supplier Package SOIC
Type NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum Continuous Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +85 °C
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOIC
Transistor Configuration Common Emitter
Transistor Type NPN
Width 4mm
Вес, г 0.638

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 75 КБ
Datasheet
pdf, 182 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов