Добавить к сравнению Сравнить ()

MC1413DG, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC

PartNumber: MC1413DG
Ном. номер: 8116493271
Производитель: ON Semiconductor
MC1413DG, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
Доступно на заказ 609 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
54 × = 54
от 10 шт. — 39 руб.
от 100 шт. — 25 руб.

Описание

The MC1413DG is a NPN high current Darlington Bipolar Transistor Array suitable for driving lamps, relays or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. It has high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500mA permit them to drive incandescent lamps. The device with a 2.7kR series input resistor is well suited for systems utilizing a 5V TTL or CMOS logic.

• High voltage
• -20 to 85°C Operating ambient temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
85°C
Количество Выводов
16вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50В
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
1000hFE

Дополнительная информация

Datasheet MC1413DG