MC1413DG, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC

PartNumber: MC1413DG
Ном. номер: 8116493271
Производитель: ON Semiconductor
MC1413DG, Массив биполярных транзисторов ...
Доступно на заказ 681 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
58 × = 58
от 10 шт. — 42 руб.
от 100 шт. — 26 руб.

Описание

The MC1413DG is a NPN high current Darlington Bipolar Transistor Array suitable for driving lamps, relays or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. It has high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500mA permit them to drive incandescent lamps. The device with a 2.7kR series input resistor is well suited for systems utilizing a 5V TTL or CMOS logic.

• High voltage
• -20 to 85°C Operating ambient temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 9664378

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50В
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
1000hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Количество Выводов
16вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
85°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet MC1413DG