MDF11N60BTH, HV MOSFET N-CH 600V 11A T

PartNumber: MDF11N60BTH
Ном. номер: 8116223761
Производитель: MagnaChip Semiconductor
MDF11N60BTH, HV MOSFET N-CH 600V 11A T
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 1 100
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
MagnaChip MDF11N60BTH N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 660 V, 3-pin TO-220F

Технические параметры

разрешение
High Speed Switching
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.71 x 4.93 x 16.13mm
высота
16.13mm
длина
10.71mm
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Resistance
0.55 Ω
Maximum Drain Source Voltage
660 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
49 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220F
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1700 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
76 ns
Typical Turn-On Delay Time
38 ns
ширина
4.93mm
Новинки
только новые товары
Forward Diode Voltage
1.4V
Maximum Gate Threshold Voltage
5V

Дополнительная информация

MDF11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11A