MDP10N60GTH, HV MOSFET N-CH 600V 10A T

PartNumber: MDP10N60GTH
Ном. номер: 8026926724
Производитель: MagnaChip Semiconductor
MDP10N60GTH, HV MOSFET N-CH 600V 10A T
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
82 × = 820
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 55 руб.
от 100 шт. — 48.70 руб.

Описание

High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
HV MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Технические параметры

Категория
High Speed Switching
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.7 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
660 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
156 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
32 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1360 pF @ 25 V
Типичное время задержки выключения
116 нс
Типичное время задержки включения
53 нс
Ширина
4.83mm
Прямое напряжение диода
1.4V
Прямая активная межэлектродная проводимость
9s
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
16.51mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

MDP10N60G/MDF10N60G N-Channel MOSFET 600V, 10A