MDP11N60TH, HV MOSFET N-CH 600V 11A T

PartNumber: MDP11N60TH
Ном. номер: 8039973762
Производитель: MagnaChip Semiconductor
MDP11N60TH, HV MOSFET N-CH 600V 11A T
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
83 × = 830
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 57 руб.
от 100 шт. — 51.50 руб.

Описание

High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
HV MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Технические параметры

Категория
High Speed Switching
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.55 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
660 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
182 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
38.4 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1700 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
76 ns
Типичное время задержки включения
38 ns
Ширина
4.83mm
Прямое напряжение диода
1.4V
Прямая активная межэлектродная проводимость
13с
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
16.51mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

MDP11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11A