MDP18N50BTH, HV MOSFET N-CH 500V 18A T

PartNumber: MDP18N50BTH
Ном. номер: 8056074051
Производитель: MagnaChip Semiconductor
MDP18N50BTH, HV MOSFET N-CH 500V 18A T
Доступно на заказ 5 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 850
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
MagnaChip MDP18N50BTH N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 500 V, 3-Pin TO-220

Технические параметры

Maximum Drain Source Resistance
0.27 Ω
Channel Mode
Enhancement
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Channel Type
N
Typical Turn-On Delay Time
32 ns
Package Type
TO-220
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Operating Temperature
+150 °C
высота
16.51mm
Mounting Type
Through Hole
длина
10.67mm
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Width
4.83mm
Максимальная рассеиваемая мощность
236 W
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Pin Count
3
Typical Turn-Off Delay Time
222 ns
Forward Transconductance
13s
Forward Diode Voltage
1.4V
разрешение
General Purpose
Typical Input Capacitance @ Vds
2490 pF@ 25 V
конфигурация
Single
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC@ 10 V

Дополнительная информация

MDP18N50B / MDF18N50B N-Channel MOSFET 500V ...