MID75-12A3, 1200V 90A IGBT Boost Chop

PartNumber: MID75-12A3
Ном. номер: 8056081493
Производитель: Ixys
MID75-12A3, 1200V 90A IGBT Boost Chop
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
4 000 × = 4 000
от 2 шт. — 3 570 руб.
от 5 шт. — 3 218 руб.

Описание

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT модули /
IXYS, MID75-12A3, IGBT Module, N-channel, 90 A max, 1200 V, 7-Pin Y4 M5

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
94 x 34 x 30mm
высота
30mm
длина
94mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
90 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
тип монтажа
Screw
тип упаковки
Y4 M5
Pin Count
7
ширина
34mm

Дополнительная информация

MII 75-12 A3, MID 75-12 A3, MDI 75-12 A3 IGBT ...