MJ11012G, BJT,NPN,Darlington,30A,60

PartNumber: MJ11012G
Ном. номер: 8082913290
Производитель: ON Semiconductor
MJ11012G, BJT,NPN,Darlington,30A,60
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
400 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 10 шт. — 300 руб.

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Транзисторы Дарлингтона /
ON Semi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

Технические параметры

конфигурация
Single
Dimensions
21.08 (Dia.) x 8.51mm
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
2
Package Type
TO-204AA
Pin Count
2
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Type
NPN
высота
8.51mm
Mounting Type
Through Hole

Дополнительная информация

High-Current Complementary Silicon ...