MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 300 руб.
от 5 шт. —
1 230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 300 руб.
Описание
The ON Semiconductor MJ11015G is a 30A, 120V PNP Darlington bipolar power transistor. It is designed to be used as an output device for general purpose amplifier applications.
Технические параметры
Структура | pnp darlington | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 | |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 | |
Корпус | то-3 | |
Вес, г | 18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 161 КБ
Datasheet 1SMA5919BT3G
pdf, 2514 КБ
MJ11015 datasheet
pdf, 160 КБ
Документация
pdf, 166 КБ
MJ11015 (PNP); MJ11012, MJ11016 (NPN
pdf, 169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают