MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]

Фото 1/6 MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 300 руб.
от 5 шт.1 230 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 300 руб.
Номенклатурный номер: 478469191
Артикул: MJ11015G

Описание

The ON Semiconductor MJ11015G is a 30A, 120V PNP Darlington bipolar power transistor. It is designed to be used as an output device for general purpose amplifier applications.

Технические параметры

Структура pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус то-3
Вес, г 18

Техническая документация

Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 161 КБ
Datasheet 1SMA5919BT3G
pdf, 2514 КБ
MJ11015 datasheet
pdf, 160 КБ
Документация
pdf, 166 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов