MJD112-1G, NPN Darlington Power Tran

PartNumber: MJD112-1G
Ном. номер: 8007639352
Производитель: ON Semiconductor
MJD112-1G, NPN Darlington Power Tran
Доступно на заказ 75 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
54 × = 810
Количество товаров должно быть кратно 15 шт.
от 30 шт. — 38 руб.
от 75 шт. — 32.93 руб.

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Small Signal Transistors
General Purpose Transistors
Dual NPN and PNP Transistors
Power Transistors
High Voltage Transistors
RF Bipolar Transistors
Low Noise, Dual Matched and Complex Bipolar Transistors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Транзисторы Дарлингтона /
ON Semi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-pin IPAK

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
6.73 x 2.38 x 6.35mm
высота
6.35mm
длина
6.73mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
20 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
IPAK
Pin Count
3
ширина
2.38mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Minimum DC Current Gain
1000
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

(NJV)MJD112 NPN & (NJV)MJD117 PNP ...