MJD31CT4, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 Вт, 3 А, 10 hFE

PartNumber: MJD31CT4
Ном. номер: 8008157406
Производитель: ST Microelectronics
MJD31CT4, Биполярный транзистор, NPN, 100 В ...
Доступно на заказ 972 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
31 × = 31
от 30 шт. — 28 руб.
от 90 шт. — 23 руб.

Описание

The MJD31CT4 is a NPN low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

• Surface-mount power package
• PNP complementary to the type is MJD32C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 1467922

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Рассеиваемая Мощность
15Вт
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
10hFE
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet MJD31CT4