MJD31CT4, Transistor Bipolar NPN 10

PartNumber: MJD31CT4
Ном. номер: 8054479991
Производитель: ST Microelectronics
MJD31CT4, Transistor Bipolar NPN 10
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
45 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 36 руб.
от 100 шт. — 24.30 руб.

Описание

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
STMicroelectronics MJD31CT4 NPN Bipolar Transistor, 3 A, 100 V, 3-pin TO-252

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
2.4 x 6.6 x 6.2mm
высота
2.4mm
длина
6.6mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
15 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-252
Pin Count
3
ширина
6.2mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Minimum DC Current Gain
3
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

Transistor Bipolar NPN 100V 3A TO252