MJD45H11-1G, PNP Power Transistor 80V

PartNumber: MJD45H11-1G
Ном. номер: 8004658198
Производитель: ON Semiconductor
MJD45H11-1G, PNP Power Transistor 80V
Доступно на заказ 15 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
56 × = 840
Количество товаров должно быть кратно 15 шт.

Описание

PNP Power Transistors, ON Semiconductor

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Small Signal Transistors
General Purpose Transistors
Dual NPN and PNP Transistors
Power Transistors
High Voltage Transistors
RF Bipolar Transistors
Low Noise, Dual Matched and Complex Bipolar Transistors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
ON Semi MJD45H11-1G PNP Bipolar Transistor, 8 A, 80 V, 3-pin IPAK

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
6.73 x 2.38 x 6.22mm
высота
6.22mm
длина
6.73mm
Maximum Collector Base Voltage
10 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum DC Collector Current
8 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
20 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
20 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
IPAK
Pin Count
3
ширина
2.38mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V dc
Minimum DC Current Gain
40
Transistor Type
PNP

Дополнительная информация

MJD44H11 NPN & MJD45H11 PNP Complementary ...