MJH11022G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 3 МГц, 150 Вт, 15 А, 15 hFE

PartNumber: MJH11022G
Ном. номер: 8021492030
Производитель: ON Semiconductor
MJH11022G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В ...
Доступно на заказ 97 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
390 × = 390
от 25 шт. — 317 руб.

Описание

The MJH11022G is a 250V NPN Darlington Bipolar Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11021 (PNP) and MJH11022 (NPN) are complementary devices.

• High DC current gain
• 250VDC Minimum collector-emitter sustaining voltage (VCEO(sus))
• Low collector-emitter saturation voltage (VCE (sat))
• Monolithic construction
• 250VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 5V Emitter to base voltage (VEBO)
• 30ADC Peak collector current
• 0.5A DC Base current (IB)
• 0.83°C/W Thermal resistance, junction to case

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 1611190

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
250В
Частота Перехода ft
3МГц
Рассеиваемая Мощность
150Вт
DC Ток Коллектора
15А
DC Усиление Тока hFE
15hFE
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet MJH11022G