MMBF2201NT1G, MOSFET 20V 300mA N-Channel
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
65 руб.
от 100 шт. —
45 руб.
от 1000 шт. —
28.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
The MMBF2201NT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Miniature surface-mount package saves board space
• -55 to 150°C Operating temperature range
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 300мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.0062 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 192 КБ
