MMBFJ310LT3G, SOT-23 JFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 24 to 60mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Source Gate On-Capacitance | 5pF |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBFJ310LT1G
pdf, 121 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
