MMBT 2222A LT1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 руб.
от 5 шт. —
40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 руб.
Описание
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 75 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 600 mA |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 45000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | MMBT2222ALT1XT SP000011174 MMBT2222ALT1HTSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | MMBT2222 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
