MMBT2222LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 30 В, 250 МГц, 225 мВт, 600 мА, 35 hFE

PartNumber: MMBT2222LT1G
Ном. номер: 8034507921
Производитель: ON Semiconductor
MMBT2222LT1G, Биполярный транзистор ...
Доступно на заказ 9000 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
2 × = 6 000
Количество товаров должно быть кратно 3000 шт.
от 9000 шт. — 1.30 руб.

Описание

The MMBT2222LT1G is a 30V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

• Halogen-free/BFR-free
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
• 60VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 5VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• 1100mA DC Peak collector current
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 2317832

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Частота Перехода ft
250МГц
Рассеиваемая Мощность
225мВт
DC Ток Коллектора
600мА
DC Усиление Тока hFE
35hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet MMBT2222LT1G