MMBT5179
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
62 руб.
от 10 шт. —
52 руб.
от 100 шт. —
41.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 2GHZ, SOT-23-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:2GHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:25hFE; R
Технические параметры
| Collector Current (DC) | 0.05(A) |
| Collector-Base Voltage | 20(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 25 |
| Emitter-Base Voltage | 2.5(V) |
| Maximum Transition Frequency | 2000 |
| Noise Figure (Max) | 5(dB) |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Output Power | 0.02(MIN)(W) |
| Package Type | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Power Dissipation | 0.225(W) |
| Power Gain | 15(MIN)(dB) |
| Type | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
| Maximum DC Collector Current | 50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 2.5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.018 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 587 КБ
Документация
pdf, 604 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
