MMBT589LT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE

PartNumber: MMBT589LT1G
Ном. номер: 8013440790
Производитель: ON Semiconductor
MMBT589LT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101 ...
Доступно на заказ 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
28 × = 28

Описание

The MMBT589LT1G is a 1A PNP high current Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 2464091

Технические параметры

Полярность Транзистора
PNP
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-30В
Частота Перехода ft
100МГц
Рассеиваемая Мощность
310мВт
DC Ток Коллектора
-1А
DC Усиление Тока hFE
40hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet MMBT589LT1G