MMBT918LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 15 В, 600 МГц, 225 мВт, 50 мА, 20 hFE

PartNumber: MMBT918LT1G
Ном. номер: 8119085145
Производитель: ON Semiconductor
MMBT918LT1G, Биполярный транзистор ...
Доступно на заказ 6000 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
3 × = 9 000
Количество товаров должно быть кратно 3000 шт.
от 6000 шт. — 2.30 руб.

Описание

The MMBT918LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the surface-mount package. This device is ideal for low-power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 2441383

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
15В
Частота Перехода ft
600МГц
Рассеиваемая Мощность
225мВт
DC Ток Коллектора
50мА
DC Усиление Тока hFE
20hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet MMBT918LT1G