MMBTA13LT3G, Darlington NPN 30V 300mA

PartNumber: MMBTA13LT3G
Ном. номер: 8003568363
Производитель: ON Semiconductor
MMBTA13LT3G, Darlington NPN 30V 300mA
Доступно на заказ более 800 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
6 × = 600
Количество товаров должно быть кратно 100 шт.

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Транзисторы Дарлингтона /
Darlington NPN 30V 300mA HFE:10K SOT23

Технические параметры

Конфигурация
3 Phase
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальное напряжение коллектор-база
30 V
Максимальный запирающий ток коллектора
100nA
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
300 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Ширина
1.4mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.5 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Тип транзистора
NPN
Высота
1.01mm
Длина
3.04mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

MMBTA13L, SMMBTA13L, MMBTA14L, SMMBTA14L, Darlington Amplifier NPN Silicon Transistors MMBTA13LT3G
MMBTA13L, SMMBTA13L, MMBTA14L, SMMBTA14L ...