MMF60R580P, Транзистор полевой, N-канал, Id=8А, Vdss=600В, Vgs(th)=2…4В, Rds(on)=580 мОм [TO-220F]
![MMF60R580P, Транзистор полевой, N-канал, Id=8А, Vdss=600В, Vgs(th)=2…4В, Rds(on)=580 мОм [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
103 шт. со склада г.Москва
470 руб.
от 15 шт. —
432 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.58 Ом/2.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26 | |
| Корпус | TO-220F | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet MMF60R580P
pdf, 272 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
