MMQ60R190PTH, Super Junct MOSFET N-CH 6

PartNumber: MMQ60R190PTH
Ном. номер: 8009238322
Производитель: MagnaChip Semiconductor
MMQ60R190PTH, Super Junct MOSFET N-CH 6
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
380 × = 760
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 10 шт. — 250 руб.
от 30 шт. — 216.67 руб.

Описание

Super Junction (SJ) MOSFET
These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Super Junct MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.26 x 5.31 x 21.46мм
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.19 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
154 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
51 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1630 pF @ 25 V
Типичное время задержки выключения
146 нс
Типичное время задержки включения
32 ns
Ширина
5.31mm
Прямое напряжение диода
1.4V
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Высота
21.46mm
Длина
16.26mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

MMQ60R190P 600V 0.19Ohm N-channel MOSFET