MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
175 шт. со склада г.Москва
540 руб.
от 10 шт. —
486 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 9001265915
Артикул: MS12N120HGC0
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 290 | |
Крутизна характеристики, S | 9 | |
Корпус | TO-247 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2.5…5.5 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
MS12N120HGC0
pdf, 2249 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.