MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]

MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
175 шт. со склада г.Москва
540 руб.
от 10 шт.486 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 9001265915
Артикул: MS12N120HGC0

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 290
Крутизна характеристики, S 9
Корпус TO-247
Пороговое напряжение на затворе 2.5…5.5
Вес, г 7.5

Техническая документация

MS12N120HGC0
pdf, 2249 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.