MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247]

MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
297 шт. со склада г.Москва
680 руб.
от 10 шт.612 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 680 руб.
Номенклатурный номер: 9001265913
Артикул: MS30N100HGC0

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.38 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 290
Крутизна характеристики, S 30
Корпус TO-247
Пороговое напряжение на затворе 3…5.5
Вес, г 7.5

Техническая документация

MS30N100HGC
pdf, 2749 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.