MS8N100FE, Транзистор N-MOSFET 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
167 шт. со склада г.Москва
140 руб.
от 10 шт. —
126 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 9001265906
Артикул: MS8N100FE
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 | |
Крутизна характеристики, S | 5.6 | |
Корпус | TO-263 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 2.4 |
Техническая документация
MS8N100F
pdf, 3740 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары