MS9N150H1, Транзистор N-MOSFET 1500В 9А 350Вт [TO-247]

MS9N150H1, Транзистор N-MOSFET 1500В 9А 350Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
385 шт. со склада г.Москва
460 руб.
от 15 шт.414 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9001239045
Артикул: MS9N150H1

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.2 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 350
Крутизна характеристики, S 7
Корпус TO-247
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet MS9N150H1
pdf, 3526 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.