MSC025SMA120B4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 930 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 930 руб.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 103 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 W |
Qg - заряд затвора | 232 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 23 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 10 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | SiC |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 35 ns |
Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Торговая марка | Microchip / Microsemi |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-247-4 |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 73 A |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247-4 |
Pin Count | 4 |
Transistor Material | SiC |
Техническая документация
Datasheet MSC025SMA120B4
pdf, 1588 КБ
Datasheet MSC025SMA120B4
pdf, 1598 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары