MSC040SMA120B4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 090 руб.
от 25 шт. —
4 740 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 090 руб.
Описание
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 46 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Material | SiC |
| Brand: | Microchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Id - Continuous Drain Current: | 66 A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 323 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 137 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1290 КБ
Datasheet MSC040SMA120B4
pdf, 1289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
