MSG80T65HHC0, Транзистор IGBT 650В 80А 260Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
198 шт. со склада г.Москва
480 руб.
от 10 шт. —
427 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 9001335633
Артикул: MSG80T65HHC0
Технические параметры
Технология/семейство | Trench/Field-Stop | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 160 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 300 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.45 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 260 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 25 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 340 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-247 | |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
MSG80T65HHC0
pdf, 2938 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.