MTD6N15T4G, NFET DPAK 150

PartNumber: MTD6N15T4G
Ном. номер: 8006470940
Производитель: ON Semiconductor
MTD6N15T4G, NFET DPAK 150
Доступно на заказ более 90 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
52 × = 1 040
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 200 шт. — 40 руб.
от 400 шт. — 33.80 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MTD6N15T4G, NFET DPAK 150V 6A 300MO

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.3 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
20 W
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1200 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
200 нс
Типичное время задержки включения
50 нс
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Высота
2.38mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

MTD6N15 Power Field Effect Transistor DPAK