MUBW50-06A7, IGBT E2 pack 600V 75A CBI

PartNumber: MUBW50-06A7
Ном. номер: 8034470887
Производитель: Ixys
MUBW50-06A7, IGBT E2 pack 600V 75A CBI
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
5 120 × = 5 120
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 4 340 руб.

Описание

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT модули /
IXYS, MUBW50-06A7, IGBT Module, N-channel, Hex, 75 A max, 600 V, 23-Pin

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Hex
размеры
107.5 x 45 x 17mm
высота
17mm
длина
107.5mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+125 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
тип монтажа
Screw
Pin Count
23
ширина
45mm

Дополнительная информация

MUBW 50-06 A7 Converter - Brake - Inverter ...