NCP5111DR2G, Двойной драйвер, полумостовой, питание 10В-20В, 500мА, задержка 100нс, SOIC-8

PartNumber: NCP5111DR2G
Ном. номер: 8048057341
Производитель: ON Semiconductor
NCP5111DR2G, Двойной драйвер, полумостовой ...
Доступно на заказ 170 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
140 × = 700
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 101 руб.

Описание

The NCP5111DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to ensure a proper drive of the high-side power switch.

• High and low drive outputs
• Up to VCC swing on input pins
• Extended allowable negative bridge pin voltage swing to -10V for signal propagation
• Matched propagation delays between both channels
• 1 input with internal fixed dead time (650ns)
• Under VCC lockout (UVLO) for both channels
• Pin-to-Pin-compatible with industry standards
• Up to 600V high voltage range
• ±50V/ns dV/dt Immunity
• 250/500mA Output source/sink current capability
• 3.3 and 5V Input logic compatible

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Стабилизаторы Напряжения
Код: 1547138

Технические параметры

Конфигурация Привода
Полумост
Пиковый Выходной Ток
500мА
Минимальное Напряжение Питания
10В
Максимальное Напряжение Питания
20В
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Задержка по Входу
750нс
Задержка Выхода
100нс
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
125°C
Упаковка
Разрезная Лента

Дополнительная информация

Datasheet NCP5111DR2G