NCP51705SMDGEVB, Evaluation Board, NCP51705, SiC MOSFET

NCP51705SMDGEVB, Evaluation Board, NCP51705, SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 560 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 560 руб.
Номенклатурный номер: 8008735380
Артикул: NCP51705SMDGEVB

Описание

Макетные Платы, Инструменты Оценки\Комплекты Разработчика Специализированных Приложений

Application daughter-card for NCP51705 SiC MOSFET driver The EVB is designed on a four layer PCB and includes the NCP51705 driver and all the necessary drive circuitry. The EVB also includes an on-board digital isolator and the ability to solder any MOSFET or SiC MOSFET in a TO-247 high voltage package. The mini board brings versatility in usage means EVB can be used in current or new designs (prototypes).

• EVB does not include a power stage
• Can be used in any low-side or high-side power switching application
• For bridge configurations 2or more of these EVBs can be configured in totem pole drive configuration

Технические параметры

Номер Ядра Чипа NCP51705
Подтип Приложения SiC МОП-транзистор
Производитель Чипа On Semiconductor
Содержимое Комплекта Evaluation Board NCP51705
Тип Приложения Набора Управление Питанием
Вес, г 200