NDT3055L, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 0.07 Ом, 10 В, 1.6 В

PartNumber: NDT3055L
Ном. номер: 8001148667
Производитель: Fairchild Semiconductor
NDT3055L, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В ...
Доступно на заказ 28026 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
30 × = 30

Описание

The NDT3055L is a N-channel logic level enhancement mould MOSFET using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 9845305

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.07Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.6В
Рассеиваемая Мощность
3Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet NDT3055L