NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [DPAK]

Артикул: NGD8201ANT4G
Ном. номер: 9000204095
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [DPAK]
Фото 2/3 NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [DPAK]Фото 3/3 NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [DPAK]
Есть в наличии более 70 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
70 × = 70
от 50 шт. — 61 руб.
от 100 шт. — 56.10 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, ON Semiconductor

IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet NGD8201ANT4G
NGD8201N, NGD8201AN, Ignition IGBT 20A 400V N−Channel DPAK NGD8201ANT4G
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов