NGTB15N60EG, IGBT,600V,15A,TO220

PartNumber: NGTB15N60EG
Ном. номер: 8109627485
Производитель: ON Semiconductor
NGTB15N60EG, IGBT,600V,15A,TO220
Доступно на заказ 28 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
120 × = 240
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 20 шт. — 63 руб.

Описание

IGBT Discretes, ON Semiconductor

IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
ON Semiconductor NGTB15N60EG N-channel IGBT Transistor, 30 A 600 V, 3-pin TO-220

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single Dual Collector
размеры
10.28 x 4.82 x 15.75mm
высота
15.75mm
длина
10.28mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
117 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
ширина
4.82mm

Дополнительная информация

NGTB15N60EG, IGBT - Short-Circuit Rated