Добавить к сравнению Сравнить ()

NGTB15N60EG, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.7 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

PartNumber: NGTB15N60EG
Ном. номер: 8043057770
Производитель: ON Semiconductor
NGTB15N60EG, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.7 В ...
Доступно на заказ 417 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
80 × = 80
от 25 шт. — 72 руб.
от 100 шт. — 60 руб.

Описание

The NGTB15N60EG is an Insulated Gate Bipolar Transistor features a robust and non-punch through (NPT) Trench construction, provides superior performance in demanding switching applications. Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for hard switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged reverse recovery diode with a low forward voltage.

• Low saturation voltage resulting in low conduction loss
• Low switching loss in higher frequency applications
• Soft fast reverse recovery diode
• Excellent current versus package size performance density
• 10µs Short-circuit capability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 2216666

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Рассеиваемая Мощность
117Вт
DC Ток Коллектора
30А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.7В

Дополнительная информация

Datasheet NGTB15N60EG